Название электронного компонента: PHX6N50E Описание PHX6N50E: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT186A (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHX6N50E datasheet: 73Kb Скачать PHX6N50E datasheet: PHX6N50E.PDF |