|
 |
Название электронного компонента: PHX8N50E Описание PHX8N50E: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT186A (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHX8N50E datasheet: 74Kb Скачать PHX8N50E datasheet: PHX8N50E.PDF |