Название электронного компонента: PHX8ND50E Описание PHX8ND50E: PowerMOS transistor. FREDFET, avalanche energy rated. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT186A (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHX8ND50E datasheet: 75Kb Скачать PHX8ND50E datasheet: PHX8ND50E.PDF |