|
 |
Название электронного компонента: PHB8ND50E Описание PHB8ND50E: PowerMOS transistor. FREDFET, avalanche energy rated. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT404 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHB8ND50E datasheet: 91Kb Скачать PHB8ND50E datasheet: PHB8ND50E.PDF |