Название электронного компонента: BF1201WR Описание BF1201WR: N-channel dual-gate PoLo MOS-FET. Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT343R (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BF1201WR datasheet: 103Kb Скачать BF1201WR datasheet: BF1201WR.PDF |