Название электронного компонента: MJD122-1 Описание MJD122-1: NPN transistor for high DC current gain, 100V, 8A Производитель: ON Semiconductor Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-251 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MJD122-1 datasheet: 137Kb Скачать MJD122-1 datasheet: MJD122-1.PDF |