Название электронного компонента: IRF821 Описание IRF821: N-channel MOSFET, 450V, 2.5A Производитель: Samsung Electronic Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF821 datasheet: 322Kb Скачать IRF821 datasheet: IRF821.PDF |