|
 |
Название электронного компонента: 1N5366B Описание 1N5366B: 39 V, 5 W, glass passivated junction silicon zener diode Производитель: TEL Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DO-201AE (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 1N5366B datasheet: 267Kb Скачать 1N5366B datasheet: 1N5366B.PDF |