Название электронного компонента: BULD125KC Описание BULD125KC: 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode Производитель: TEL Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BULD125KC datasheet: 972Kb Скачать BULD125KC datasheet: BULD125KC.PDF |