|
 |
Название электронного компонента: BULD25SL Описание BULD25SL: 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode Производитель: TEL Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BULD25SL datasheet: 674Kb Скачать BULD25SL datasheet: BULD25SL.PDF |