|
 |
Название электронного компонента: BULD25DR Описание BULD25DR: 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode Производитель: TEL Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: - (Pins: 8) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BULD25DR datasheet: 674Kb Скачать BULD25DR datasheet: BULD25DR.PDF |