|
 |
Название электронного компонента: BULD85KC Описание BULD85KC: 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode Производитель: TEL Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BULD85KC datasheet: 726Kb Скачать BULD85KC datasheet: BULD85KC.PDF |