|
 |
Название электронного компонента: M54563P Описание M54563P: 8-unit 500mA source type darlington transistor array with clamp didoe Производитель: Mitsubishi Electric Corporation, Semiconductor Group Темп. диапазон: Min: -25°C | Max: 75°C Корпус и выводы: 18P4G (Pins: 18) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер M54563P datasheet: 95Kb Скачать M54563P datasheet: M54563P.PDF |