Название электронного компонента: 1N5531B Описание 1N5531B: 0.4 W, low voltage avalanche diode. Nominal zener voltage 11.0 V. Test current 1.0 mAdc. +-5% tolerance. Производитель: JGD Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: DO-35 (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 1N5531B datasheet: 243Kb Скачать 1N5531B datasheet: 1N5531B.PDF |