|
 |
Название электронного компонента: 1N5539B Описание 1N5539B: 0.4 W, low voltage avalanche diode. Nominal zener voltage 19.0 V. Test current 1.0 mAdc. +-5% tolerance. Производитель: JGD Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: DO-35 (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 1N5539B datasheet: 243Kb Скачать 1N5539B datasheet: 1N5539B.PDF |