Название электронного компонента: IRF530FP Описание IRF530FP: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR Производитель: SGS-Thomson Microelectronics Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: Not available... (Pins: N/A) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF530FP datasheet: 77Kb Скачать IRF530FP datasheet: IRF530FP.PDF |