|
 |
Название электронного компонента: HGT1S2N120BNDS Описание HGT1S2N120BNDS: 12A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode Производитель: Intersil Corporation Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: Not available... (Pins: N/A) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер HGT1S2N120BNDS datasheet: 87Kb Скачать HGT1S2N120BNDS datasheet: HGT1S2N120BNDS.PDF |