|
 |
Название электронного компонента: NE4210S01-T1B Описание NE4210S01-T1B: GaAs HJ-FET for X to Ku band ultra-low noise, high gain amplification Производитель: NEC Electronics Inc. Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: 4-pin u-x type mold (Pins: N/A) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер NE4210S01-T1B datasheet: 65Kb Скачать NE4210S01-T1B datasheet: NE4210S01-T1B.PDF |