Название электронного компонента: HYB5116400BT-50 Описание HYB5116400BT-50: 4M x 4bit DRAM Производитель: Infineon (formely Siemens) Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 70°C Корпус и выводы: P-TSOPII-26/24 300 m (Pins: 26) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер HYB5116400BT-50 datasheet: 325Kb Скачать HYB5116400BT-50 datasheet: HYB5116400BT-50.PDF |