Название электронного компонента: HYB5117405BT-600 Описание HYB5117405BT-600: 4M x 4bit DRAM Производитель: Infineon (formely Siemens) Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 70°C Корпус и выводы: P-TSOPII-26/24 300 m (Pins: 26) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер HYB5117405BT-600 datasheet: 323Kb Скачать HYB5117405BT-600 datasheet: HYB5117405BT-600.PDF |