Название электронного компонента: HYB5117400BJ-500 Описание HYB5117400BJ-500: 4M x 4bit DRAM Производитель: Infineon (formely Siemens) Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 70°C Корпус и выводы: P-SOJ-26/24 300 mil (Pins: 26) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер HYB5117400BJ-500 datasheet: 325Kb Скачать HYB5117400BJ-500 datasheet: HYB5117400BJ-500.PDF |