Название электронного компонента: HYB3117405BJ-50 Описание HYB3117405BJ-50: 4M x 4bit EDO-DRAM Производитель: Infineon (formely Siemens) Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 70°C Корпус и выводы: P-SOJ-26/24 300 mil (Pins: 26) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер HYB3117405BJ-50 datasheet: 143Kb Скачать HYB3117405BJ-50 datasheet: HYB3117405BJ-50.PDF |