Название электронного компонента: HYB5117805BJ-50 Описание HYB5117805BJ-50: 2M x 8bit EDO-DRAM Производитель: Infineon (formely Siemens) Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 70°C Корпус и выводы: P-SOJ-28-3 400 mil (Pins: 28) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер HYB5117805BJ-50 datasheet: 258Kb Скачать HYB5117805BJ-50 datasheet: HYB5117805BJ-50.PDF |