Название электронного компонента: IRG4BC30FD Описание IRG4BC30FD: Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.59V @ VGE = 15V, IC = 17A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRG4BC30FD datasheet: 412Kb Скачать IRG4BC30FD datasheet: IRG4BC30FD.PDF |